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制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法

2004年 应用技术
  • 成果简介
一种制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法，其特征在于，步骤如下：a.利用气固源分子束外延设备以绝缘体上硅为衬底材料外延生长锗硅合金薄膜；b.再在氧化气氛的石英管式退火炉中进行高温退火处理；c.用湿化学腐蚀法或化学机械抛光法除去材料表面的氧化层。本发明的方法具有工艺路线简单，成本低和适宜于小批量生产的优点，特别是用于制备高锗组分、超薄型绝缘体上锗硅薄膜材料的研制，该材料可作为进一步外延生长绝缘体上...
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