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纳米晶硅/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法

2007年

应用技术

成果简介

　　与日本Sanyo发展的异质结电池（HIT-Heterojunction with Intrinsic Thin Layer）即在晶体硅上沉积宽带隙的非晶硅薄膜作为发射极和本征缓冲层不同，本成果采用纳米晶硅代替非晶硅作为发射极和本征缓冲层，与晶体硅结合形成nc-Si/c-Si异质结电池，有效地增加了电流的收集，获得了高的短路电流。
　　作为界面器件，C-Si表面的有效钝化是获得高效电...

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