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基于化合物半导体材料高速光开关的研究

2007年 应用技术
  • 成果简介
高速光开关及其阵列是高速大容量光通信网络中关键器件之一，GaAs、InP等化合物半导体材料是光源与光波导研究的重要材料之一。本项目以化合物半导体材料带内吸收机理研究及其在高速光开关中的应用和利用能带剪裁技术优化设计量子阱材料，达到增强场效应的同时，降低无电场作用时的传输损耗。分别对载流子注入结构和量子限制斯塔克效应研制高速、高消光比全内反射型光开关单元与阵列，同时，深入研究注入载流子对材料...
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