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背面软损伤硅片研制(技术)

1999年

应用技术

成果简介

该技术用于IC用硅片的背面处理。采用独特的损伤介质和配方，针对不同应用要求，在硅片背面产生各种不同程度的损伤。损伤程度必须不影响硅片的弯曲度、翘曲度，使硅片经热氧化产生规定密度(5×10^4-1×10^6/cm^2)的热氧化层错起到吸杂源的作用。软损伤硅片可用于不同线宽的IC制造，该技术已达到国外同类技术的水平。应用及推广前景：形成了100万片/年的批量生产能力和80万片/年的销售量，产品批量出口...

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