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厚膜绝缘层上硅材料的制备方法

2003年 应用技术
  • 成果简介
该发明专利为制备厚膜SOI(Silieon on insulator)材料的方法，其特征为：以利用SIMOX技术制备的薄SOI材料作为衬底，然后利用气相外延工艺进行外延生长单晶硅层。用该方法制备的SOI材料可以用作光波导材料，外延层厚度可以根据需要控制，外延层表面平整度优于用键合减薄方法制备的SOI材料。外延生长时可以选用SICl4，SiHCl3，Sill2C12或SiH4作为硅源，外延掺杂类型可...
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