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TDR-50型单晶炉

2003年 应用技术
  • 成果简介
内容简介：该设备适于科研使用，根据用户需要可配备磁场，以改善和提高晶体质量。是用石墨电阻加热元件将硅等半导体材料熔化，以直拉法从熔体中拉制大直径单晶体的设备。该设备的主要性能指标如下：晶体直径：3″(φ75mm)；投料量：12kg；加热最大功率：60kW；籽晶在炉内行程：1250mm。使用范围及市场预测：用于拉制φ75mm硅单晶，适用于生产和科学研究。市场年需1-2台套。投产条件及效益分析：该设备...
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