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双异质外延SOI材料

2000年

应用技术

中期阶段

成果简介

（1）课题来源与背景
课题来源：“九五”国家重点科技攻关计划。
专题名称：双异质外延SOI材料。
（2）技术原理及性能指标
自行设计、研制了一台冷壁超低压MOCVD外延设备，采用MOCVD外延技术，利用三甲基铝（TMA）和N_2O作为沉积反应源，在Si衬底上外延生长单晶g-Al_2O_3绝缘膜，然后在g-A...

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