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铌酸锂晶体的缺陷结构和杂质效应

1995年 应用技术
  • 成果简介
　　这是一项理论成果，内容包括：
　　1．提出用改变杂质离子点阵位置的方法人工调控铌酸锂晶体的光电子性质（光折变，发光等）；
　　2．提出掺镁浓度阈值效应的镁占铌位模型和全套缺陷结构反应式及其实验验证；
　　3．离子束技术处理铌酸锂条件下，获得优质晶体表面的有关缺陷问题，上述研究已取得一系列有意义的结果和发现，并在国内外产生较大影响。
　　所提出的一...
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