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电力电子器件击穿规律和表面耐压稳定性机理的研究

1995年

应用技术

成果简介

该成果包括下述内容：
1．硅单晶P－N结的击穿规律和机理的研究，得出P－N结的击穿电压Vn与硅单晶电阻率成正比，产生下述经验公式VB ＝Cρn 。
2．高压硅器件高温耐压稳定性和击穿机理的研究。开拓了液晶显示击穿点技术。
3．高压硅器件表面电场畸变的机理研究，证实高压硅器件在高温下电场畸变耐压下降的主要机理是由于硅表面及表面保护材...

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